ELEKTRON ZANJIRLAR VA MIKROSXEMOTEXNIKA QURILMALARINING ASOSLARI
Maqola haqida umumiy ma'lumotlar
Ushbu maqolada Elektron zanjirlar va mikrosxemotexnika qurilmalarining yarim o‗tkazgichli materiallardan tayyorlanadi. Elektronikada keng qo‗llaniladigan yarim o‗tkazgichlarning ta‘qiqlangan zona kengliklari Wt (eV) quyidagiga teng. Yuqoridagi ruxsat etilgan zona o‗tkazuvchanlik zonasi deb ataladi
1. Paul Horowitz, Winfield HillThe art of electronics Third Edition Cambridge University Press, ISBN 978-0-521-80926-9 Hardback, 2015 – 1225 p.
2. П. Хоровис, У. Хилл Искусство схемотехники. Издание 5-е, переработанное Издателство «Мир» 1998 г.- 608 с.
3. Титце У., Шенк К. Полупроводниковая схемотехника. 12- изд. Том I,II: Пер. с нем. – М.: ДМК Пресс, 2008.
4. Павлов, В.Н. Схемотехника аналоговых электронных устройств: Учебник для вузов/В.Н. Павлов, В.Н. Ногин. – М. Горячая линия Телеком, 2003
5. Mirziyoev Sh.M. Erkin va farovon, demokratik O‗zbekiston davlatini birgalikda barpo etamiz. O‗zbekiston Respublikasi Prezidentining lavozimiga kirishish tantanali marosimiga bag‗ishlangan Oliy Majlis palatalarining qo‗shma majlisidagi nutqi. –T.: ―O‗zbekiston‖ NMIU, 2016. – 56 b.
6. Mirziyoev Sh.M. Qonun ustuvorligi va inson manfaatlarini ta‘minlash – yurt taraqqiyoti va xalq farovonligining garovi. O‗zbekiston Respublikasi Konstitutsiyasi qabul qilinganining 24 yilligiga bag‗ishlangan tantanali marosimdagi ma‘ruza 2016 yil 7 dekabr. – T.: ―O‗zbekiston‖ NMIU, 2016. – 48 b.
7. Христич В.В. Лабораторный практикум по курсе ―Электроника‖. – Таганрог: Изда-во ТТИ, 2009.
Irisboyev , F. B. (2022). ELEKTRON ZANJIRLAR VA MIKROSXEMOTEXNIKA QURILMALARINING ASOSLARI. Academic Research in Educational Sciences, 3(10), 15–19. https://doi.org/
Irisboyev , Farxod . “ELEKTRON ZANJIRLAR VA MIKROSXEMOTEXNIKA QURILMALARINING ASOSLARI.” Academic Research in Educational Sciences, vol. 10, no. 3, 2022, pp. 15–19, https://doi.org/.
Irisboyev , B. 2022. ELEKTRON ZANJIRLAR VA MIKROSXEMOTEXNIKA QURILMALARINING ASOSLARI. Academic Research in Educational Sciences. 10(3), pp.15–19.