O'zbekcha
English
Русский
МАКТАБ ЎҚУВ ДАСТУРЛАРИДА НАНОТЕХНОЛОГИК КОМПОНЕНТНИ АКС ЭТТИРИШ АМАЛИЁТИ
Maqola haqida umumiy ma'lumotlar
Мақолада нанотехнология асосларини мактаб ўқув дастурларига кенг жорий этиш босқичлари ѐритилган. Мактабларда нанотехнология фан сифатида киритилиши ҳамда олий таълим муассасаларида нанотехнология йўналиши бўйича бакалавр ва магистратура таълим босқичларининг ташкил этилиши мазкур соҳанинг истиқболини белгилаб берувчи омиллардан бўлиши баѐн этилган
1. Умирзаков Б.Е., Нормуродов М.Т., Ташмухамедова Д.А., & Ташатов А.Қ. Наноэпитаксиальные пленки и гетероструктуры на основе кремния. Тошкент 2012. – с. 180.
2. Драгунов В.П., Неизвестный И.Г., & Гридчин В.А. Основы наноэлектроники. Учебное пособие. -2-е изд. – М.: Логос, 2006. – с. 496
3. Балабанов, В.И. Нанотехнология. Наука будущего. - М.: ЭКСМО , 2009. - с. 160
4. Нормуродов М.Т., Жураев А.Х. Физика фани ривожида нанотехнологиялар ўрни. “Ta’lim, fan va innovatsiya” маънавий-маърифий, илмий-услубий журнал, 2019/3-son. - Б. 96-98.
5. Шарощенко В.С., Токарева Т.Е. Элективные курсы нанотехнологической направленности школьников. Вторая международная научно-методическая конференция "Физико-математическое и технологическое образование: проблемы и перспективы развития" - М.: МПГУ, 2016. - С. 253-254
6. Интернет материаллари. http://old.xs.uz/index.php/homepage/fan-va-talim/ http://www.nanonewsnet.ru/ https://nanorf.elpub.ru/jour.
Жураев, А. Х., & Холиқулова , М. А. (2022). МАКТАБ ЎҚУВ ДАСТУРЛАРИДА НАНОТЕХНОЛОГИК КОМПОНЕНТНИ АКС ЭТТИРИШ АМАЛИЁТИ. Academic Research in Educational Sciences, 3(5), 312–317. https://doi.org/10.24412/2181-1385-2022-5-312-317
Жураев, Абурайхон , and Муқаддас Холиқулова ,. “МАКТАБ ЎҚУВ ДАСТУРЛАРИДА НАНОТЕХНОЛОГИК КОМПОНЕНТНИ АКС ЭТТИРИШ АМАЛИЁТИ.” Academic Research in Educational Sciences, vol. 5, no. 3, 2022, pp. 312–317, https://doi.org/10.24412/2181-1385-2022-5-312-317.
Жураев, Х. and Холиқулова , А. 2022. МАКТАБ ЎҚУВ ДАСТУРЛАРИДА НАНОТЕХНОЛОГИК КОМПОНЕНТНИ АКС ЭТТИРИШ АМАЛИЁТИ. Academic Research in Educational Sciences. 5(3), pp.312–317.